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NXTM-2B单晶P/N型号测试仪
单晶P/N型号测试仪简介：
仪器运用了第四代集成电路设计、生产。仪器采用热电法测量硅单晶型号，配置了可自动恒温的热探笔，并由液晶器件直接发显示N、P型。对于电阻率小于1000Ω.cm的硅片、块**以准确地鉴定出导电型号。
单晶P/N型号测试仪适用范围：
适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅。
适用于西门子法、硅烷法等生产**多晶硅料的企业。
适用于物理提*生产多晶硅料生产企业。
适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业。
适用于科研部门、高等院校及需要**量程测量电阻率的企业。
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度**提高。
测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能。
*特的设计能**消除测量引线和接触电阻产生的误差， ***测量的高精度和宽的量程范围。
双数字表结构使测量*，操作*简便。
具有**的测试数据查询及打印功能。
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、值、值、平均百分变化率等。
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性**提高。
采用进口元器件，留有*大的系数，**提高了测试仪的性和使用寿命。
测量电流采用高度稳定的**恒流源（**之五精度），不受气候条件的影响。
具有正测反测的功能，测试结果的准确性。
具有抗强磁场和抗高频设备的性能。
单晶P/N型号测试仪产品特点：
仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度**提高
测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
*特的设计能**消除测量引线和接触电阻产生的误差， ***测量的高精度和宽的量程范围
双数字表结构使测量*，操作*简便
具有**的测试数据查询及打印功能
测量系统可实现自动换向测量、求平均值、值、值、平均百分变化率等
四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性**提高
采用进口元器件，留有*大的系数，**提高了测试仪的性和使用寿命
测量电流采用高度稳定的**恒流源（**之五精度），不受气候条件的影响
具有正测反测的功能，测试结果的准确性
具有抗强磁场和抗高频设备的性能
单晶P/N型号测试仪参数：
测量范围
锗：近本征锗≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm
显示方式： 液晶直显
功 耗：30W
供电电源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用环境：温度：23±2℃ 相对温度：≤65%